Lower Vertical Grid Deposition

下层光学栅格钨沉积向已衬覆阻挡层的介质沟槽提供遮光材料，后续抛光去除场区金属。（工程实践）

本步位于光学垫层沟槽刻蚀、清洗和氮化钛阻挡层之后，下一步为钨 CMP。沟槽属于背面光学介质堆栈，钨的用途是提供光学遮挡；不能把它写成硅内部的载流子隔离墙或器件电连接。

化学气相沉积中的成核、表面反应和反应物输运共同影响覆盖与填充。膜从可达表面向内增厚，侧壁汇合可能形成接缝，入口提前封闭可能困住空洞。改善共形性不等于实现自底向上生长或保证无空洞，也不由钨材料名称直接确定唯一前驱体序列。