40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中，下垂直栅格（Lower Vertical Grid）模块为相邻像素提供了光学隔离，以防止光学串扰 [A2]。在阻挡层和块体钨（W）填充工艺完成后，晶圆表面会残留一层厚重的W覆盖层（overburden）[A1]。W化学机械平坦化（CMP）步骤正是为了去除这一导电覆盖层并隔离各个栅格结构而引入的 [P1]。通过在下方的介质层上停止，CMP工艺形成了电学和光学上相互分离的镶嵌金属特征 [P1]。