40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

此 CMP 后清洗步骤紧接在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中下层垂直栅极（Lower Vertical Grid）的钨（W）化学机械平坦化（CMP）之后 [A3]。之前的 CMP 工艺不可避免地会在晶圆表面留下各类污染物，包括残留的研磨颗粒、有机浆料添加剂以及金属杂质 [P1]。如果不能严格去除，这些缺陷将严重降低器件的光学和电学完整性，从而干扰后续光学焊盘 2（Optical Pad 2）和下层 OCL 平坦化层的沉积 [P1]。