40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

本步位于钨栅格刻蚀之后、灰化与去胶清洗之前，去除图形间暴露的氮化钛。保留在钨下方的材料与开口下方介质均需要控制损耗；目标是完成金属堆栈的图形转移，而非在本步形成新的硅中载流子势垒。

反应离子刻蚀结合定向离子作用和表面化学反应，以利于从开口内移除材料。离子方向性有助于限制横向侵蚀，但并不消除化学侧蚀、有限选择比或局部溅射损伤。增加离子作用和延长材料去除可能改善清除程度，同时增大下层介质消耗风险。