40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，氧化物栅格密封层刻蚀（Oxide Grid Seal Layer Etch）是遮光栅格（LS_GRID）模块中一个关键的图形转移步骤 [P4]。该步骤位于光学衬垫 1（Optical Pad 1）刻蚀之后、下部垂直栅格阻挡层沉积之前，旨在清除栅格沟槽底部的保护性氧化物密封层 [P4]。此项刻蚀的主要目的是露出下方的衬底或主要隔离结构，为后续的栅格阻挡层及金属或电介质填充准备一个原始且完全开放的界面 [A2]。