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在通过之前的氧化物栅格密封层刻蚀（Oxide Grid Seal Layer Etch）和清洗步骤定义沟槽结构后，下垂直栅格阻挡层沉积（Lower Vertical Grid Barrier Deposition）会在深隔离沟槽内形成一层共形保护层*（工程实践）。该步骤与水平方向的LS/孔径栅格阻挡层沉积（LS/Aperture Grid Barrier Deposition）有本质区别，因为下垂直栅格沟槽具有极高的深宽比，需要高度共形的涂覆技术，而非标准的平面沉积（工程实践）*。