40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成背面接触 IIP 及随后的灰化（Ashing）/清洗步骤后，晶圆背面上暴露的硅和介电质表面具有极高的反应活性，极易受到金属污染 [P4]。LS/孔径栅格阻挡层沉积（LS/Aperture Grid Barrier Deposition）步骤会沉积一层共形的难熔金属/金属氮化物堆叠层（通常为 Ti/TiN），以在沉积块体光屏蔽（LS）/孔径栅格金属之前对这些背面沟槽和接触孔进行衬垫处理 [A1]。