40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

METAL 6 TRENCH - Photo 步骤是后段工艺（BEOL）槽孔优先双大马士革集成方案中的关键光刻工艺 [P2]。在完成穿过层间介质（ILD）和刻蚀停止层的 Via 5 (V5) 刻蚀后，晶圆表面存在明显的形貌，必须对其进行 Trench 6 布线图形化 [A1]。与定义器件层附近超高密度局部布线的 Metal 0 或 Metal 1 光刻步骤不同，Metal 6 通常作为半全局或全局布线层，需要更大的横截面积以最大限度地减少 RC 延迟 [T1]。