Ta-based liner deposition（MET6）

当采用等离子体增强原子层沉积（PEALD）时，金属有机前驱体（如TAIMATA）或卤化物（如TaCl5）在电介质表面发生饱和吸附，形成自限制单分子层 [P4]。

在先进半导体金属化工艺中，铜因其低电阻率和高抗电迁移能力而被广泛采用为互连材料 [P1]。然而，铜是一种高反应性金属，在硅和电介质中扩散极快，其存在会产生深能级陷阱，从而严重降低器件性能 [P2]。为了防止这种性能下降，基于Ta的衬垫沉积步骤起到了关键的扩散阻挡层作用 [P1]。该步骤位于ILD沟槽/通孔刻蚀和清洗之后，在进行Cu种子层沉积和整体电镀之前，对暴露出的电介质表面进行衬垫层覆盖 [A1]。