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在 ILD 5-2 氧化物刻蚀在 low-k 电介质中形成 MET6 沟槽后，必须在金属化之前彻底清除光刻胶掩膜 [A1]。这一灰化步骤是主要的有机物清除工艺，使晶圆从电介质图形化过渡到 Ta 基衬层和 Cu 种子层沉积的准备阶段 [T2]。如果光刻胶未被完全清除，后续的 Ta 衬层沉积将导致附着力差和接触电阻高 [P2]。因此，灰化工艺必须在有效挥发大块光刻胶的同时，保持新刻蚀 low-k 沟槽的几何形状和化学完整性 [P3]。