40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

Metal 5 (M5) 铜沉积步骤对于形成后段工艺 (BEOL) 双大马士革结构中的第五层布线至关重要 [A2]。在沉积 Ta 基阻挡层和铜晶种层之后，此步骤在随后的化学机械平坦化 (CMP) 步骤之前，利用本体铜完全填充高深宽比的 V5 通孔和 M5 沟槽 [P3]。铜被用作互连材料，是因为其低电阻率和高容许电流密度有助于缓解缩放集成电路中严重的电阻-电容 (RC) 延迟 [P2]。随着晶体管尺寸的缩小以及为提高开关速度而增加驱动电流 [T2]，由于尺寸效应，互连通孔面临显著的电阻增加 [A1]。