40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在用于最先进超大规模集成电路 (ULSI) 器件的大马士革 (Damascene) 工艺中，铜是通过电化学沉积 (ECD) 进入图案化电介质中的 [P1]。然而，ECD 需要在扩散阻挡层上覆盖一层连续的金属成核层，以启动均匀电镀并提供导电路径 [P1]。在 MET6 模块中沉积 Ta 基衬层之后，此步骤建立了必要的导电 Cu 基础 [P1]。与低层金属不同，40nm BSI CMOS 图像传感器中的 MET6 通常作为较厚的供电路由层或顶层互连使用 （工程实践）。