40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在完成 Metal 5 的 Cu 沉积、Cu CMP 以及基于 Ta 的衬垫（liner）CMP 后，晶圆表面会受到磨料颗粒、金属残留物和有机络合物的严重污染 [P1]。此 CMP 后清洗步骤对于为后续的 ILD 6-1 沉积做好表面准备至关重要 [P2]。如果这些顽固的残留物不能被有效去除，它们将导致高密度互连结构中的漏电流或短路，从而对器件性能产生不利影响 [P1]。