ILD 6-1 Deposition - 40nm 工艺步骤

ILD 6-1 沉积形成致密的非晶硅基封盖层，用于密封暴露的 Cu 和基于 Ta 的衬层，防止扩散和氧化 [A1]。

在 MET6 模块进行 Cu CMP 和 CMP 后清洗工艺后，铜互连的顶部表面会暴露出来，且极易发生氧化和金属向外扩散 [P2]。ILD 6-1 主要作为介质扩散阻挡层 (DB) 和铜封盖层 (CCL)，以密封暴露的 Cu 和基于 Ta 的衬层 [P2]。由于后续步骤涉及沉积大块 ILD 6-2 并形成键合焊盘腔体，因此 ILD 6-1 必须提供稳固的气密性密封以防止湿气侵入，同时在最终的键合焊盘图案化过程中充当可靠的刻蚀停止层 （工程实践）。