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本步在 STI 硅刻蚀及去胶清洗之后、衬垫氧化之前，实际记录为硼等离子体掺杂。它向已形成的沟槽侧壁近表面引入硼，不是通用自由基氧化、去除硅的刻蚀，也不代表已经完成介质填充。

硼作为硅中的受主，电学激活后可建立更强的 p 型表面区域，使光电二极管耗尽区与缺陷较多的沟槽界面分离，并改变界面附近载流子占据。这样可减弱界面产生电流被收集为暗信号的贡献；这属于通过掺杂和电势实现的钝化作用，不能等同于悬挂键被全部化学消除或界面态密度已下降。