40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器中，SiO硬掩模沉积步骤是浅沟槽隔离（STI）模块内的一个关键图形转移层 [P1]。该二氧化硅层紧随SiN硬掩模沉积之后，构成了实现高保真度沟槽定义所需的复合硬掩模堆叠 [P1]。随着器件尺寸缩小至纳米级，仅靠光刻胶本身缺乏刻蚀深沟槽或高深宽比沟槽所需的物理刻蚀抗性，因此必须采用中间牺牲层 [T2]。