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浅沟槽隔离 (STI) 模块在相邻的有源区之间提供关键的电气和结构隔离，从而抑制寄生导通和漏电流 [P3]。在完成初始沟槽刻蚀和热 STI 衬垫氧化（用于修复等离子体损伤并圆化沟槽拐角，以防止应力集中和场增强 [P3]）之后，执行 STI 填充共形 CVD 衬垫步骤。此沉积步骤在热氧化层之上引入一层薄且高度共形的介质层（工程实践）。其位置专门设定在此，以确立“衬垫-刻蚀-间隙填充”(L-E-G) 集成策略的第一阶段 [P2]。