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PMD 1刻蚀代表了中段工艺（MOL）接触孔形成模块中本体介电层图案化的最终阶段 [A1]。在此步骤之前，需要对上层金属前介电层（PMD 4至2）进行顺序刻蚀，而该特定步骤的目标是介电堆叠中最底部的基于SiO₂的层 [P1]。其主要目标是完成高深宽比接触孔的加工，同时在底层接触刻蚀停止层（CESL，通常由氮化硅组成）上可靠且均匀地停止 [P4]。