40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

CESL 1 刻蚀步骤是 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中接触孔模块的关键阶段，紧随 PMD 和 CESL 2 刻蚀之后执行 [P1]。在之前的接触孔主刻蚀过程中，厚层金属前介质（PMD）被去除，该刻蚀工艺旨在选择性地停止在接触孔刻蚀停止层（CESL）上，以防止对下方的有源区和栅极结构造成损伤 [A1]。在先进工艺中，CESL 通常通过 PECVD 沉积为高应力非晶氢化氮化硅薄膜，以在晶体管沟道中诱导应力，从而改变硅晶格常数并提高载流子迁移率 [P1]。