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在沉积主 Ti 衬层后，TiN 沉积步骤作为接触孔模块中的关键扩散阻挡层和粘附层 [P3]。其基本目的是在后续的钨化学气相沉积 (CVD) 步骤中，保护下方的 Ti 层和衬底硅免受强腐蚀性六氟化钨 ($WF_6$) 前驱体的侵蚀 [P3]。如果没有这层保护屏障，$WF_6$ 会剧烈侵蚀 Ti 衬层并形成挥发性的四氟化钛 ($TiF_4$)，导致严重的体积空洞和接触失效 [P3]。此外，TiN 为后续的 W 插塞提供了必要的形核与粘附界面，确保了后续化学机械平坦化 (CMP) 操作过程中的结构稳定性 [P4]。