40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在纳米尺度背照式（BSI）CMOS图像传感器的制造过程中 [T1]，ILD 6模块中的光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤是至关重要的表面制备阶段。该湿法工艺位于ILD 6堆栈（包括晶圆键合层）沉积之后、Metal 8（DBI Pad）沟槽光刻步骤之前，旨在确保光刻过程具备完美的表面条件 [P4]。与制备中间金属布线层的早期光刻前清洗步骤（例如步骤#7、13）不同，此特定步骤专为直接键合互连（DBI）集成的顶层界面进行制备 （工程实践）。