ILD 6-3 Deposition - 40nm 工艺步骤

沉积速率与溅射速率的比值严格控制着间隙填充轮廓，防止了高深宽比金属间隙的过早夹断 [P1]。

在铝键合焊盘及其相关的 Ta 基阻挡层形成并完成图案化后，必须对暴露的金属结构和沟槽进行电隔离和机械保护 [A1]。ILD 6-3 沉积步骤作为复合 ILD6 堆叠中的基础介质层，覆盖了新蚀刻的金属特征 [A2]。在 40nm BSI CMOS 图像传感器的应用场景中，该层必须提供稳健的金属间介质（IMD）隔离，以防止相邻键合焊盘或全局布线之间的寄生电容耦合及串扰，这是维持信号完整性的关键因素 [P4]。