40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器的后段工艺（BEOL）流程中，多层ILD 6堆栈作为直接键合互连（DBI）焊盘的基础集成平台（工程实践）。在早期本体low-k层（ILD 6-3和6-4）沉积及灰化后清洗完成后，ILD 6-5被沉积以作为致密的密封阻挡层和结构支撑层（工程实践）。该层为后续的ILD 6-6晶圆键合层（WBL）沉积以及关键的METAL 8 DBI焊盘沟槽光刻工艺做好准备 [P3]。