ILD 6-2 Deposition - 40nm 工艺步骤

虽然引入含碳前驱体或利用沉积后热处理可以通过产生纳米孔来降低介电常数，但这种孔隙率本身会降低薄膜的结构连续性和机械强度 [P1]。

上层层间电介质（ILD）的作用是为互连布线提供电气隔离和结构完整性 [T2]。在对基于 Ta 的衬层进行化学机械抛光（CMP）并进行后续清洗后，通常会沉积一层薄薄的 ILD 6-1，以密封暴露的互连结构，防止其氧化和污染 [P2]。随后在 ILD 6-1 之上沉积 ILD 6-2，为后续的键合焊盘（bond pad）空腔光刻和刻蚀步骤提供必要的本体厚度，从而构建结构集成所需的垂直间距 [A1]。