40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在键合焊盘（bond pad）模块的 Ta 阻挡层刻蚀之后，晶圆表面会残留光刻胶、硬化的刻蚀聚合物以及活性卤素物质 [P4]。此灰化（Ashing）和剥离/清洗（Strip/Clean）步骤是必不可少的，用于在后续 ILD 6-3 沉积之前彻底去除这些有机和无机污染物 （工程实践）。