40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 纳米尺度 背照式 (BSI) CMOS 图像传感器中，最大限度地减少相邻像素之间的光学串扰对于整体图像质量至关重要 （工程实践）。为实现这一目标，采用由钨 (W) 和氮化钛 (TiN) 组成的金属遮光层或光圈栅格来物理阻挡杂散光 （工程实践）。氧化物栅格密封层刻蚀步骤紧接在光刻胶图案化之后进行，并将光刻孔径图案转移到氧化物层中 [P1]。