Pre Litho Cleaning（LS_GRID #321）

相比干法等离子体清洗，湿法化学工艺之所以被选中，是因为它能提供高选择性、无损伤的污染物去除，且不会引入离子轰击或改变氧化物的亚表面机械性能 [P3]。

遮光层（LS）或孔径栅格（Aperture Grid）是背照式（BSI）互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器中的关键结构组件，旨在抑制光学串扰并精确定义像素的光学孔径 [T1] [A2]。在 LS_GRID 模块中，依次沉积阻挡层、主要遮光金属（通常为 W）和氧化物栅格密封层后，晶圆必须在光刻胶涂布前进行光刻前清洗（Pre Litho Cleaning）步骤 [A1]。