40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

本步在光学垫层及清洗之后对胶层曝光与显影，实际记录为 KrF 光刻。后续 Optical Pad 1 与氧化物密封层刻蚀把图形传入介质，再由阻挡层和钨沉积构建下层光学栅格；本步没有刻蚀硅光电二极管。

曝光使胶的化学状态与显影溶解行为产生空间差异，显影移除相应区域形成胶中开口。曝光后烘烤可参与胶内反应，但烘烤本身不等于液体显影或下层介质刻蚀。焦点、胶层形貌与显影状态共同影响轮廓，不能由节点名称推断必须采用另一种曝光方法。