40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在40nm BSI CMOS图像传感器工艺流程中，Optical Pad 1 Etch步骤在Lower Vertical Grid Trench Photo之后执行，旨在选择性地打开通往Light Shield Grid (LS_GRID) 模块内特定接触焊盘或对准焊盘的通路 [A1]。该步骤与后续的Optical Pad 2和3刻蚀不同，因为它针对的是最外层的光学介电层，在定义更深层或次级焊盘结构之前建立主要的通孔或焊盘暴露区 [A1]。