40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 W/TiN 遮光（Light Shield, LS）栅格各向异性图案化工艺之后，必须彻底清除残留的光刻胶、底部抗反射涂层（BARC）以及刻蚀后的聚合物残留物，以确保光学清晰度和电学隔离 [P2]。这一特定的去胶（Ashing）与剥离/清洗步骤至关重要，因为之前的 TiN 刻蚀采用了卤素等离子体，会在含有钛、钨和卤素物种的光刻胶上形成一层坚硬且交联的“硬壳” [P2]。