40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在氧化物栅格密封层刻蚀（Oxide Grid Seal Layer Etch）之后，高深宽比（high-aspect-ratio）的深沟槽内壁会覆盖一层特意沉积用于侧壁钝化的强交联含氟聚合物（CFx），以及硬化的光刻胶残留物 [P1]。如果这些残留物未被清除，将阻碍下垂直栅格阻挡层（Lower Vertical Grid Barrier）的保形沉积，导致附着力失效或结构性空洞，从而严重影响像素的光学隔离性能 [P2]。