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剥离和清洗步骤紧随 MET6 沟槽灰化工艺之后，旨在为后续的 Ta 基衬层和 Cu 种子层沉积做好准备 [P3]。灰化主要用于去除大部分有机光刻胶，但往往会留下前序基于碳氟化合物的介质刻蚀过程中产生的高度交联的碳氟聚合物残留物 [P1]。如果这些刻蚀后残留物残留在沟槽侧壁上，它们会严重降低后续 Ta 阻挡层的附着力，并增加通孔底部的接触电阻 [P1]。因此，该湿法清洗步骤对于实现原始洁净的表面至关重要，从而确保 Cu 互连的结构完整性和电气性能 [P3]。