40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 ILD 5-1 SiCN 刻蚀之后，底部的 M5 铜互连层在通孔底部物理暴露出来 （工程实践）。在此上游各向异性刻蚀过程中，含有氟碳化合物的等离子体会刻意在介质侧壁上沉积高交联度的氟聚合物 (CFx) 残留物，以维持轮廓控制和刻蚀各向异性 [P1]。然而，这些残留物以及任何残留的重交联光刻胶必须被彻底清除，以确保后续阻挡金属沉积时具有高附着力和良好的覆盖率 [P1]。