Cu CMP（MET4） - 40nm 工艺步骤

图案密度效应决定了铜密度较高的区域可能会经历加速的局部去除，因此需要优化无磨料或高选择性抛光液，以防止形貌退化 [P4]。

在完成大块 Metal 4 Cu 沉积后，整个晶圆表面会残留一层厚厚的铜过载层 [P4]。此 Cu CMP 步骤的主要目标是去除该大块铜过载层，并实现全局平坦化表面，同时精确地停止在下方的 Ta 基衬垫层上 [P4]。在 40nm BSI CMOS 图像传感器集成方案中，MET4 通常作为较高层的布线或配电层，这使得该特定步骤在沟槽尺寸和图案密度分布上，与早期的 Cu CMP 步骤（如 MET1 或 MET2）有着本质区别 [A2]。