Ta-based liner deposition（MET4）

与裸介电层相比，金属 Ta 层与 Cu 保持较低的界面能，这提高了 Cu 的润湿性并显著抑制了电迁移（EM）失效 [P1]。

在后段工艺（BEOL）中，导电互连是通过大马士革工艺形成的，即随后在沟槽和通孔中填充铜（Cu）[A1]。在 MET4 沟槽刻蚀和灰化后清洗之后，该沉积步骤形成一层 Ta 基衬层，以完全包围并隔离目标 Cu 互连 [A1]。若没有这种扩散限制层，Cu 原子会轻易迁移到周围的层间介电层（ILD）中，并在其中产生深能级陷阱或重新聚集形成导电短路，导致灾难性的介电层漏电 [P3]。