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ILD 3-2 氧化物刻蚀步骤定义了后段工艺（BEOL）双大马士革集成方案中的 Metal 4 互连沟槽 [A2]。在沟槽光刻步骤之后，该工艺将 M4 沟槽图案深入转移至层间介质（ILD）中 [P2]。此操作产生了精确的物理空腔，随后将通过基于 Ta 的衬层和铜晶种进行金属化处理 （工程实践）。与仅作为应力消除或注入阻挡层的牺牲层的早期流程焊盘氧化物刻蚀不同，此 BEOL 氧化物刻蚀具有永久性的关键意义，因为它在几何上定义了决定图像传感器布线电路 RC 性能的导电路径 [A2]。