40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

该步骤将 Via 4 (V4) 图案从光刻胶转移到 ILD 4-2 介质层中，以建立 Metal 4 与 Metal 5 之间的垂直互连 [A2]。在 V4 光刻步骤之后，利用各向异性等离子体刻蚀选择性地去除暴露的氧化物，同时保留底层的 ILD 4-1 SiCN 刻蚀停止层 [A2]。与主要用于清除前段工艺器件表面硅界面的浅层焊盘氧化物刻蚀不同，这种深层后段工艺 (BEOL) 氧化物刻蚀必须在保持高深宽比几何结构的同时，避免侧壁出现弓形弯曲 [A2]。