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此步骤紧随 V4 SiCN 突破刻蚀之后，并在 M5 Trench 光刻之前进行（工程实践）。由于底层的 Metal 4 铜通过去除 SiCN 阻挡层刚被物理暴露出来，该步骤在工艺流程中区别于其他常规的光刻胶去除作业（工程实践）。其主要目标是在不损伤暴露的铜或周围 low-k 电介质的前提下，彻底去除深孔刻蚀过程中产生的剩余光刻胶、抗反射涂层以及复杂的刻蚀后残留物 (PER) [P1, P4]。