必须严格共同优化曝光剂量、焦距和曝光后烘烤温度，以最大限度地减少光刻胶轮廓退化，同时确保在复杂的底层形貌上实现完整的图案保真度 [P2]。
Metal 4 (M4) Trench Photo 步骤是后段工艺（BEOL）模块中关键的光刻工艺，具体在先通孔后沟槽（via-first, trench-last）的双大马士革集成方案中执行 [P2]。在 ILD 3-2 Oxide 和 ILD 3-1 SiCN 通孔刻蚀及随后的清洗之后，晶圆表面留下了深且开放的 Via 3 (V3) 空腔 （工程实践）。
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