40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中，V3 去胶与清洗（Ashing & Strip/Clean）步骤是在 ILD 3-1 SiCN 穿通刻蚀（breakthrough etch）后立即执行的 [P4]。其主要功能是在不损害电介质结构完整性的前提下，彻底去除残留的光刻胶（PR）、底部抗反射涂层（BARC）以及复杂的刻蚀后残留物（PER）[P3]。