40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

ILD 3-2 氧化层刻蚀是 40nm BSI CMOS 图像传感器工艺流程中 Via 3 模块的一项关键后段工艺（BEOL）步骤 [P4]。该步骤位于 Via 3 光刻之后，旨在将定义好的通孔图形转移到主体层间介电层（ILD 3-2）中 [P4]。与前段工艺中使用的较浅垫氧化层刻蚀或非关键的氧化层硬掩模刻蚀不同，该步骤必须在严苛的条件下停止在下方的 ILD 3-1 SiCN 层上，同时构建高深宽比接触（HARC）形貌 [P4]。