ILD 3-1 SiCN Etch - 40nm 工艺步骤

SiCN刻蚀的物理机制依赖于使用氟化等离子体的反应离子刻蚀（RIE），它平衡了化学挥发与物理离子轰击[P1]。

ILD 3-1 SiCN刻蚀步骤是一项关键的后段工艺（BEOL），负责打开Via 3底部的介质阻挡层和刻蚀停止层（SiCN），以露出下方的Metal 3互连结构，这遵循了[A2]中描述的结构集成原则。在40nm节点中，采用低k值层间介质（ILD）来降低电阻-电容（RC）延迟，同时致密的非晶碳氮化硅（a-SiCN:H）既作为刻蚀停止层，又作为铜盖层以防止Cu向外扩散[P2]。