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在本体 Cu CMP 步骤之后，需要进行基于 Ta 的衬垫（liner）CMP，以完全去除残留的场区阻挡金属，并实现 MET1 铜互连的电气隔离 [P3]。此步骤有效地定义了最终的 Cu 大马士革（Damascene）结构，并为后续的 CMP 后清洗和 ILD 1-1 沉积制备了必要的平坦化表面 [P3]。