光刻胶厚度的选择涉及机械和化学性质的严格权衡;较厚的光刻胶可为随后的氧化层刻蚀提供足够的掩蔽裕量,但会显著增加显影特征的纵横比 [P3]。
METAL 1 TRENCH - Photo 步骤是一项关键的后段工艺(BEOL)光刻工序,用于定义 40nm CMOS 图像传感器流程中的第一层主要横向布线层 [A1]。该步骤位于 Pre Litho Cleaning(光刻前清洗)之后、PMD Oxide Etch(PMD 氧化层刻蚀)之前,旨在对金属间介质堆栈进行图案化,为铜金属化工艺做准备 [T1]。
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