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PMD 4氧化物刻蚀步骤在从前段工艺（FEOL）向后段工艺（BEOL）互连架构过渡的过程中，起着关键的图案转移机制作用 [A1]。继初步的PMD 5氧化物刻蚀之后，该步骤继续刻蚀穿过前金属介质堆叠层，以定义金属1（MET1）沟槽或接触孔的精确几何形状 [A1]。随着半导体技术缩小至深亚微米节点，互连电阻-电容（RC）延迟从可忽略不计转变为占据器件整体性能的主导地位，从而推动了铜互连及复杂介质集成方案的采用 [P2]。