40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

W CMP（钨化学机械平坦化）步骤的主要目标是去除前道工序中沉积的厚钨覆盖层，并在接触孔（contact via）中留下相互隔离且平坦化的钨塞 [A1]。在40nm BSI CMOS图像传感器中，这些精确的接触对于将电信号从有源像素晶体管传输至Metal 0布线层至关重要 （工程实践）。该步骤通常被设计为选择性地停在下方的Ti/TiN阻挡层上，从而为后续专门的TiN/Ti CMP工艺做好晶圆准备 [P4]。