40nm BSI CMOS Image Sensor登录后免费

在 MOL CONTACT 模块中，在刻蚀穿过接触孔刻蚀停止层 (CESL) 和焊盘氧化层以打开接触孔后，会执行 Poly/Si 回刻工艺，以露出并塑造下方的多晶硅栅极和硅源/漏极区域 [A1]。与 BSI 集成中后期进行的背面硅减薄步骤不同，这一正面步骤在随后的去胶、Ti/TiN 阻挡层沉积和 W 插塞填充之前，直接制备了局部器件接触 [A2]。随着 纳米尺度 技术中器件尺寸的缩小，平面接触面积减小，导致接触电阻急剧上升 [A1]。