掺砷硅沉积提供后续栅图形化的电极材料，电学作用取决于激活、微结构和介质界面，不由总掺入量单独确定（工程实践）。
本步位于 Thick Gate Oxide Growth 和 Nitride Hard Mask Removal 之后，随后是 PolySi Anneal、Pre Litho Cleaning、Gate Formation - Photo 和 PolySi - Etch。此 Flow 中它提供保留的硅栅电极材料，与替换金属栅中的牺牲性 a-Si 作用不同；当前连续薄膜仍需后续图形化才能成为离散栅线。
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