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在 PolySi 刻蚀工艺之后，晶圆表面覆盖着一层高度交联的光刻胶外壳以及基于碳氟化合物或卤素的侧壁钝化聚合物 [A1]。这一灰化与剥离/清洗步骤是后续 NMOS LDD 光刻和注入工艺前，完全去除这些含碳和聚合物层所必需的 [A2]。与下游后段工艺清洗相比，该特定步骤的独特之处在于它紧邻关键的栅极边缘和超薄栅极介质 [T1]。裸露的硅衬底和精密栅极堆叠要求采用高选择性的去除工艺，以避免等效氧化层厚度（EOT）退化或源/漏极硅的物理性凹陷 [P3, T1]。