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NMOS轻掺杂漏极 (LDD) 离子注入 (IIP) 光刻步骤是一项关键的光刻工艺，用于定义后续 n 型浅扩展注入的空间边界 [A2]。该步骤位于栅极叠层形成和清洗之后，通过涂布光刻胶掩模，仅暴露 NMOS 有源区，同时保护 PMOS 器件和隔离结构 [P1]。该光刻步骤与早期的 NMOS VT 调节 IIP 光刻有本质区别，后者是在栅极沉积之前定义深沟道区域以调节阈值电压 [T2]。